W634GU6RB09I vs K4B4G1646D-BYH9 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB09I par Winbond et K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB09I | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | — |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | — |
| Latence CAS | 20 ns | Programmable |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | 0 ~ 85 °C |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Interface | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Voltage - I/O | 1.35 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Débit de données | — | 1333 Mbps |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |