1EDN8511BXUSA1 vs 1ED3323MC12NXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN8511BXUSA1 por Infineon y 1ED3323MC12NXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1ED3323MC12NXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN8511BXUSA1 1ED3323MC12NXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $1,25
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 8.5 A
Peak Sink Current 8 A 9 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 °C to +150 °C —
Encapsulado PG-SOT23-6-2 PG-DSO-16-40
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Función — Single-channel isolated gate driver
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Number of Channels — 1
Primary-Side Supply Voltage (VDD1) — 3.1 V to 5.5 V
Secondary-Side Supply Voltage (VCC2) — 9 V to 18 V
Propagation Delay (typ) — 85 ns
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — [DATA_NEEDED: CMTI in kV/us]
Protection Features — DESAT short-circuit, soft-off, Miller clamp, UVLO
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER F3 Enhanced (1ED332x)
Isolation Technology — Coreless Transformer (CT)

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