1EDN8511BXUSA1 vs 1ED3323MC12NXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN8511BXUSA1 par Infineon et 1ED3323MC12NXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
1ED3323MC12NXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN8511BXUSA1 1ED3323MC12NXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $1,25
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 8.5 A
Peak Sink Current 8 A 9 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C —
Boîtier PG-SOT23-6-2 PG-DSO-16-40
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Fonction — Single-channel isolated gate driver
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Number of Channels — 1
Primary-Side Supply Voltage (VDD1) — 3.1 V to 5.5 V
Secondary-Side Supply Voltage (VCC2) — 9 V to 18 V
Propagation Delay (typ) — 85 ns
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — [DATA_NEEDED: CMTI in kV/us]
Protection Features — DESAT short-circuit, soft-off, Miller clamp, UVLO
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER F3 Enhanced (1ED332x)
Isolation Technology — Coreless Transformer (CT)

Fiches techniques et ressources

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