1EDN8511BXUSA1 vs 1ED3323MC12NXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN8511BXUSA1 por Infineon e 1ED3323MC12NXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
1ED3323MC12NXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN8511BXUSA1 1ED3323MC12NXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,54 $1,25
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 8.5 A
Peak Sink Current 8 A 9 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
Temperatura de junção de operação -40 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-SOT23-6-2 PG-DSO-16-40
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Função — Single-channel isolated gate driver
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Number of Channels — 1
Primary-Side Supply Voltage (VDD1) — 3.1 V to 5.5 V
Secondary-Side Supply Voltage (VCC2) — 9 V to 18 V
Propagation Delay (typ) — 85 ns
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — [DATA_NEEDED: CMTI in kV/us]
Protection Features — DESAT short-circuit, soft-off, Miller clamp, UVLO
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER F3 Enhanced (1ED332x)
Isolation Technology — Coreless Transformer (CT)

Fichas técnicas e recursos

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