1EDN8511BXUSA1 vs 1ED3323MC12NXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN8511BXUSA1 メーカー: Infineon および 1ED3323MC12NXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 ✓ 生産中
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1ED3323MC12NXUMA1 1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 - 5.7kV Isolated Gate Driver | Infineon

1ED3323MC12NXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN8511BXUSA1 1ED3323MC12NXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.54 $1.25
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A 8.5 A
Peak Sink Current 8 A 9 A
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
動作接合温度 -40 °C to +150 °C —
パッケージ PG-SOT23-6-2 PG-DSO-16-40
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
機能 — Single-channel isolated gate driver
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Number of Channels — 1
Primary-Side Supply Voltage (VDD1) — 3.1 V to 5.5 V
Secondary-Side Supply Voltage (VCC2) — 9 V to 18 V
Propagation Delay (typ) — 85 ns
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — [DATA_NEEDED: CMTI in kV/us]
Protection Features — DESAT short-circuit, soft-off, Miller clamp, UVLO
動作温度範囲 — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER F3 Enhanced (1ED332x)
Isolation Technology — Coreless Transformer (CT)

データシート&リソース

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