2ED2103S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon y 2ED21064S06JXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2103S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,94 $0,85
Función Half-Bridge Gate Driver High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration Non-Inverting Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulado PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Topología — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

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