2ED2103S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon e 2ED21064S06JXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2ED2103S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,94 $0,85
Função Half-Bridge Gate Driver High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration Non-Inverting Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulamento PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Topologia — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Temperatura de operação — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Fichas técnicas e recursos

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