2ED2103S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2ED2103S06FXUMA1 제조: Infineon 및 2ED21064S06JXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2ED2103S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.94 $0.85
기능 Half-Bridge Gate Driver High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration Non-Inverting Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Technology High-Voltage Level Shift (SOI) —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Driven Device Type IGBT, N-Channel MOSFET —
High-Side Offset Voltage (Max) 650 V —
Bootstrap Voltage (Max) 675 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
패키지 PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -40C to +125C —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS 상태 Compliant ROHS3 Compliant
토폴로지 — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
동작 온도 — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

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