BSD235CH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSD235CH6327XTSA1 por Infineon y BSR802NL6327HTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSD235CH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,12 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Estado RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Nivel MSL 1 —
Recuento de pines 6 3
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulado — PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Qualification — Automotive

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