BSD235CH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 比較
詳細な並列比較: BSD235CH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSR802NL6327HTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | BSD235CH6327XTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.12 | $0.15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS ステータス | Compliant (lead-free) | Compliant |
| MSLレベル | 1 | — |
| ピン数 | 6 | 3 |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| パッケージ | — | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| 動作接合温度 | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |