BSD235CH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSD235CH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSR802NL6327HTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | BSD235CH6327XTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.12 | $0.15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free) | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| 핀 수 | 6 | 3 |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| 패키지 | — | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |