BSD235CH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSD235CH6327XTSA1 par Infineon et BSR802NL6327HTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSD235CH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,12 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Statut RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Niveau MSL 1 —
Nombre de broches 6 3
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Boîtier — PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Qualification — Automotive

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