BSD235CH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSD235CH6327XTSA1 por Infineon e BSR802NL6327HTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSD235CH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,12 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Nível MSL 1 —
Contagem de pinos 6 3
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Encapsulamento — PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Qualification — Automotive

Fichas técnicas e recursos

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