BSS169H6327XTSA1 vs 2N7002L Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS169H6327XTSA1 por Infineon y 2N7002L por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS169H6327XTSA1 2N7002L
Marca Infineon onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,15 $0,03
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) 1 V to 2.5 V
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS High cell density trench MOSFET
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi

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