BSS169H6327XTSA1 vs 2N7002L Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS169H6327XTSA1 por Infineon e 2N7002L por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS169H6327XTSA1 2N7002L
Marca Infineon onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,03
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) 1 V to 2.5 V
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS High cell density trench MOSFET
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi

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