BSS169H6327XTSA1 vs 2N7002L 比較

詳細な並列比較: BSS169H6327XTSA1 メーカー: Infineon および 2N7002L メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS169H6327XTSA1 2N7002L
ブランド Infineon onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.15 $0.03
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) 1 V to 2.5 V
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] —
パッケージ PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS High cell density trench MOSFET
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
トランジスタタイプ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi

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