BSS169H6327XTSA1 vs 2N7002L Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS169H6327XTSA1 par Infineon et 2N7002L par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS169H6327XTSA1 2N7002L
Marque Infineon onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,03
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 200 mW (Ta), 225 mW max
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) 1 V to 2.5 V
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] —
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS High cell density trench MOSFET
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Type de transistor — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting
Manufacturer — onsemi

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