BSS87H6327FTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS87H6327FTSA1 por Infineon y BSP88H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS87H6327FTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,18 $0,21
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Encapsulado PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Recuento de pines 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Process Technology Vertical DMOS —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

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