BSS87H6327FTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS87H6327FTSA1 por Infineon e BSP88H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS87H6327FTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,18 $0,21
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Encapsulamento PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Contagem de pinos 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Status RoHS Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Process Technology Vertical DMOS —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Temperatura de operação — -55 C to +150 C
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fichas técnicas e recursos

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