BSS87H6327FTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSS87H6327FTSA1 от Infineon и BSP88H6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSS87H6327FTSA1 | BSP88H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,18 | $0,21 |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | 350 mA at Ta=25 C |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | 1.8 W at Ta=25 C |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Корпус | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | — |
| Число выводов | 3 (Gate / Drain / Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm typical at VGS=10 V |
| Configuration | — | Single |
| Рабочая температура | — | -55 C to +150 C |
| Technology | — | SIPMOS (planar enhancement mode) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Drain Tab Connection | — | SOT-223 tab is drain |