BSS87H6327FTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS87H6327FTSA1 par Infineon et BSP88H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS87H6327FTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,21
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Boîtier PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Nombre de broches 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Process Technology Vertical DMOS —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fiches techniques et ressources

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