BSS87H6327FTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSS87H6327FTSA1 por Infineon y BSR802NL6327HTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSS87H6327FTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,18 | $0,15 |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Encapsulado | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C (junction) | — |
| Recuento de pines | 3 (Gate / Drain / Source) | 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Technology | — | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |