BSS87H6327FTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 比較
詳細な並列比較: BSS87H6327FTSA1 メーカー: Infineon および BSR802NL6327HTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSS87H6327FTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.18 | $0.15 |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| パッケージ | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C (junction) | — |
| ピン数 | 3 (Gate / Drain / Source) | 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Technology | — | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| 動作接合温度 | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |