BSS87H6327FTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS87H6327FTSA1 par Infineon et BSR802NL6327HTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS87H6327FTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,18 | $0,15 |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Boîtier | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Nombre de broches | 3 (Gate / Drain / Source) | 3 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Technology | — | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |