CSD19534Q5A vs BSC520N15NS3 Comparación

Comparación detallada lado a lado de CSD19534Q5A por Texas Instruments y BSC520N15NS3 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro CSD19534Q5A BSC520N15NS3
Marca Texas Instruments Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,71
FET Type N-Channel —
Technology NexFET (Power MOSFET) OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
On-Resistance RDS(on) 12.6 mΩ (typ per datasheet description) —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W —
Power Dissipation (Tc) 63 W —
Encapsulado 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Nivel MSL 1-260C-UNLIM 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Recuento de pines 8 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 21 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 84 A
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 52 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3 V
Power Dissipation (TC=25C) — 57 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated

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