CSD19534Q5A vs BSC520N15NS3 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок CSD19534Q5A от Texas Instruments и BSC520N15NS3 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Texas Instruments
CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments
CSD19534Q5A ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | CSD19534Q5A | BSC520N15NS3 |
|---|---|---|
| Бренд | Texas Instruments | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $0,71 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | NexFET (Power MOSFET) | OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| On-Resistance RDS(on) | 12.6 mΩ (typ per datasheet description) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.2 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | — |
| Корпус | 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| Уровень MSL | 1-260C-UNLIM | 1 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Число выводов | 8 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 21 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 84 A |
| On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 52 mOhm |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3 V |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 57 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +150C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Body Diode | — | Intrinsic, avalanche-rated |