CSD19534Q5A vs BSC520N15NS3 比較
詳細な並列比較: CSD19534Q5A メーカー: Texas Instruments および BSC520N15NS3 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | CSD19534Q5A | BSC520N15NS3 |
|---|---|---|
| ブランド | Texas Instruments | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.62 | $0.71 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | NexFET (Power MOSFET) | OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| On-Resistance RDS(on) | 12.6 mΩ (typ per datasheet description) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.2 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | — |
| パッケージ | 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| MSLレベル | 1-260C-UNLIM | 1 |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| ピン数 | 8 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 21 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 84 A |
| On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 52 mOhm |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3 V |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 57 W |
| 動作接合温度 | — | -55C to +150C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Body Diode | — | Intrinsic, avalanche-rated |