CSD19534Q5A vs BSC520N15NS3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CSD19534Q5A par Texas Instruments et BSC520N15NS3 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre CSD19534Q5A BSC520N15NS3
Marque Texas Instruments Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,71
FET Type N-Channel —
Technology NexFET (Power MOSFET) OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
On-Resistance RDS(on) 12.6 mΩ (typ per datasheet description) —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W —
Power Dissipation (Tc) 63 W —
Boîtier 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Niveau MSL 1-260C-UNLIM 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Nombre de broches 8 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 21 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 84 A
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 52 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3 V
Power Dissipation (TC=25C) — 57 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated

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