FDMC89521L vs DMN3190LDW-7 Comparación

Comparación detallada lado a lado de FDMC89521L por onsemi y DMN3190LDW-7 por Diodes Incorporated. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro FDMC89521L DMN3190LDW-7
Marca onsemi Diodes Incorporated
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,52 $0,10
Manufacturer onsemi (Fairchild Semiconductor) —
FET Type 2 × N-Channel (Dual) Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C 8.2 A —
Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C [DATA_NEEDED: TC-rated Id] —
On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V 17 mΩ —
Gate-Source Voltage (Vgs) ±20 V —
Power Dissipation (TA=25C) 1.9 W —
Power Dissipation (TC=25C) 16 W —
Technology POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET Silicon N-Channel MOSFET
Encapsulado 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) —
Nivel MSL 1 (per onsemi product page) 1 (unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
Body Diode Integrated N-channel body diode —
Configuration Dual independent drain-source pairs Dual, independent drains
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1 A
Power Dissipation (PD) — 320 mW
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Channel Mode — Enhancement
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

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