FDMC89521L vs DMN3190LDW-7 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FDMC89521L par onsemi et DMN3190LDW-7 par Diodes Incorporated. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre FDMC89521L DMN3190LDW-7
Marque onsemi Diodes Incorporated
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,10
Manufacturer onsemi (Fairchild Semiconductor) —
FET Type 2 × N-Channel (Dual) Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C 8.2 A —
Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C [DATA_NEEDED: TC-rated Id] —
On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V 17 mΩ —
Gate-Source Voltage (Vgs) ±20 V —
Power Dissipation (TA=25C) 1.9 W —
Power Dissipation (TC=25C) 16 W —
Technology POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET Silicon N-Channel MOSFET
Boîtier 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) —
Niveau MSL 1 (per onsemi product page) 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Body Diode Integrated N-channel body diode —
Configuration Dual independent drain-source pairs Dual, independent drains
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1 A
Power Dissipation (PD) — 320 mW
Température de fonctionnement — -55C to +150C
Channel Mode — Enhancement
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

Fiches techniques et ressources

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