FDS6575 vs IRF7105TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de FDS6575 por onsemi y IRF7105TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro FDS6575 IRF7105TRPBF
Marca onsemi Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,28 $0,30
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A —
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Tensión umbral de puerta [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Encapsulado SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — IRF7105 (HEXFET Fifth Generation)
Polarity / Configuration — N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 25 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) — 3.5 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) — 2.3 A
Rds(on) Maximum — 100 mOhm
Total Package Power Dissipation (Pd) — 2 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Packaging Form — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS Status — Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant
Recuento de pines — 8

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