FDS6575 vs IRF7105TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FDS6575 por onsemi e IRF7105TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FDS6575 IRF7105TRPBF
Marca onsemi Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,28 $0,30
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A —
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Tensão de limiar de gate [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Encapsulamento SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — IRF7105 (HEXFET Fifth Generation)
Polarity / Configuration — N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 25 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) — 3.5 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) — 2.3 A
Rds(on) Maximum — 100 mOhm
Total Package Power Dissipation (Pd) — 2 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Packaging Form — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS Status — Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant
Contagem de pinos — 8

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