H5AN4G6NBJR-UHC vs K4A4G165WD-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix y K4A4G165WD-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung
K4A4G165WD-BCTD ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G6NBJR-UHC | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,09 | $19,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| Technology | CMOS | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | 0C to +85C (commercial) |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (external RZQ resistor) |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Velocidad de datos | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Interfaz | — | SSTL-12 |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |