H5AN4G6NBJR-UHC vs K4A4G165WD-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G6NBJR-UHC 제조: SK hynix 및 K4A4G165WD-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G6NBJR-UHC | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.09 | $19.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| Technology | CMOS | — |
| 동작 온도 | -40C to +95C | 0C to +85C (commercial) |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (external RZQ resistor) |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 4 Gbit |
| 데이터 속도 | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| 인터페이스 | — | SSTL-12 |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |