H5AN4G6NBJR-UHC vs K4A4G165WD-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G6NBJR-UHC от SK hynix и K4A4G165WD-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung
K4A4G165WD-BCTD ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G6NBJR-UHC | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,09 | $19,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| Technology | CMOS | — |
| Рабочая температура | -40C to +95C | 0C to +85C (commercial) |
| Корпус | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Yes (external RZQ resistor) |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Скорость передачи данных | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Интерфейс | — | SSTL-12 |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |