IPB020N10N5ATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB020N10N5ATMA1 por Infineon y IPB020N10N5LFATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,30 $2,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB020N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A —
Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) 176 A —
On-Resistance RDS(on) max 2 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK-3) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Channel Type N-Channel —
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Nivel MSL — 1
Marking Code — 020N10LF

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