IPB020N10N5ATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB020N10N5ATMA1 par Infineon et IPB020N10N5LFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,30 $2,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB020N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A —
Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) 176 A —
On-Resistance RDS(on) max 2 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK-3) PG-TO263-3 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Channel Type N-Channel —
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Niveau MSL — 1
Marking Code — 020N10LF

Fiches techniques et ressources

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