IPB020N10N5ATMA1 vs IPB020N10N5LFATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB020N10N5ATMA1 por Infineon e IPB020N10N5LFATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,30 $2,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB020N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 120 A —
Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) 176 A —
On-Resistance RDS(on) max 2 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK-3) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Channel Type N-Channel —
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix) —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5 Linear FET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (Tc) — 176 A
Silicon-Limited Drain Current — 289 A
Package-Limited Drain Current — 120 A
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) — 10.2 A
On-State Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ
Total Power Dissipation (Tc) — 313 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Nível MSL — 1
Marking Code — 020N10LF

Fichas técnicas e recursos

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