IPD50N06S409ATMA2 vs IPD038N06N3GATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPD50N06S409ATMA2 por Infineon y IPD038N06N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPD50N06S409ATMA2 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,49 | $0,65 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 90 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulado | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Recuento de pines | 3 (2 + Tab) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Nivel MSL | — | 1 |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |