IPD50N06S409ATMA2 vs IPD038N06N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD50N06S409ATMA2 par Infineon et IPD038N06N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD50N06S409ATMA2 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,49 | $0,65 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 90 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Nombre de broches | 3 (2 + Tab) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Sans halogène | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |