IPD50N06S409ATMA2 vs IPD038N06N3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD50N06S409ATMA2 от Infineon и IPD038N06N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD038N06N3GATMA1 - 60V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPD038N06N3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD50N06S409ATMA2 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,49 | $0,65 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 90 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Число выводов | 3 (2 + Tab) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Без галогенов | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |