IPD50N06S409ATMA2 vs IPD038N06N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD50N06S409ATMA2 제조: Infineon 및 IPD038N06N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD50N06S409ATMA2 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.49 | $0.65 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 90 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| 핀 수 | 3 (2 + Tab) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| MSL 레벨 | — | 1 |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |