IPD70N10S3L12ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD70N10S3L12ATMA2 por Infineon y IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD70N10S3L12ATMA2 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD70N10S3L12ATMA2 —
Technology OptiMOS-T (N-Channel Trench MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 70 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance R_DS(on) typ @ VGS=10V 11.5 mOhm —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD at TC 125 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Recuento de pines — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

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