IPD70N10S3L12ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD70N10S3L12ATMA2 par Infineon et IPD50N06S409ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD70N10S3L12ATMA2 IPD50N06S409ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD70N10S3L12ATMA2 —
Technology OptiMOS-T (N-Channel Trench MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 70 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance R_DS(on) typ @ VGS=10V 11.5 mOhm —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD at TC 125 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Nombre de broches — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fiches techniques et ressources

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