IPD70N10S3L12ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD70N10S3L12ATMA2 por Infineon e IPD50N06S409ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD70N10S3L12ATMA2 IPD50N06S409ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD70N10S3L12ATMA2 —
Technology OptiMOS-T (N-Channel Trench MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 70 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance R_DS(on) typ @ VGS=10V 11.5 mOhm —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD at TC 125 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Encapsulamento PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
Contagem de pinos — 3 (2 + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

Fichas técnicas e recursos

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