IPD90P04P405ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD90P04P405ATMA2 por Infineon y IPB70N10S3L12ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD90P04P405ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $1,65
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (Tj) —
Encapsulado PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Encapsulado / Carcasa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Sin halógenos — Yes

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