IPD90P04P405ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD90P04P405ATMA2 por Infineon e IPB70N10S3L12ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD90P04P405ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,69 $1,65
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) —
Encapsulamento PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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