IPD90P04P405ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90P04P405ATMA2 par Infineon et IPB70N10S3L12ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90P04P405ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,69 $1,65
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD, Tc) 125 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V 4.7 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (Tj) —
Boîtier PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Process Technology OptiMOS-P2 (trench + field plate) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Type de transistor — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Boîtier / Format — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Sans halogène — Yes

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