IPD90P04P405ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 比較
詳細な並列比較: IPD90P04P405ATMA2 メーカー: Infineon および IPB70N10S3L12ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A 11.8mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IPD90P04P405ATMA2 | IPB70N10S3L12ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.69 | $1.65 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | 4.7 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| パッケージ | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Process Technology | OptiMOS-P2 (trench + field plate) | — |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS (IPB70N10) |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 70 A |
| Peak Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 125 W |
| 動作接合温度 | — | -55 °C to +175 °C |
| パッケージ / ケース | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| RoHS / Green | — | RoHS Compliant, Green Product |
| Avalanche Tested | — | 100 % Avalanche Tested |
| ハロゲンフリー | — | Yes |