IPD90P04P405ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD90P04P405ATMA2 제조: Infineon 및 IPB70N10S3L12ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A 11.8mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IPD90P04P405ATMA2 | IPB70N10S3L12ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.69 | $1.65 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | 4.7 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| 패키지 | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Process Technology | OptiMOS-P2 (trench + field plate) | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS (IPB70N10) |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 70 A |
| Peak Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 125 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| RoHS / Green | — | RoHS Compliant, Green Product |
| Avalanche Tested | — | 100 % Avalanche Tested |
| 할로겐 프리 | — | Yes |